MOC3061在熱線開關(guān)中的應(yīng)用電路如圖2 所示, 在可控硅驅(qū)動中的實際電路如圖3 所示。圖中R1 為限流電阻,使輸入的L ED電流分別為15mA (MOC3061 )、10mA(MOC3062 )、5mA (MOC3063 )即可。R1 可按下式計算:
R1=(Vcc-Vf)/Ift
式中:
Vf為紅外發(fā)光二極管的正向電壓,一般取1.2V到1.4V.
Ift為紅外發(fā)光二極管觸發(fā)電流,可按表2選擇,若工作溫度在25度以下,Ift應(yīng)適當(dāng)增加.



R2 是雙向可控硅的門極電阻,當(dāng)可控硅靈敏度較高時, 門極阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干擾能力。

R3 是觸發(fā)功率雙向可控硅的限流電阻,其值由交流電網(wǎng)電壓峰值及觸發(fā)器輸出端允許重復(fù)沖擊電流峰值決定,可按下式選取:

外39Ω 電阻和0. 01μF 電容組成浪涌吸收電路,防止浪涌電壓損壞雙向可控硅。建議用該電路驅(qū)動兩個反并聯(lián)(背對背)的可控硅開關(guān)(元件) ,圖中穩(wěn)壓管可選用1N4001,電阻R2和R3 可選擇300Ω。



在工業(yè)控制設(shè)備中，若有一組可控硅觸發(fā)電路有故障，準(zhǔn)確判斷設(shè)備哪一部分或哪一組可控硅出問題，難度較大。采用圖7-22所示檢測電路很方便，簡單實用，且能自動指示。
當(dāng)可控硅觸發(fā)脈沖正常時，VT1導(dǎo)通，C上的充電電壓定時放電，使555的2腳總處于低電平（1/3＜VDD），555置位，LED2（綠色）燈亮；當(dāng)可控硅觸發(fā)脈沖消失或漏掉較多時，VT1截止或?qū)ù螖?shù)比原來少，C上的充電電壓高于2/3VDD，555復(fù)位，3腳呈低電平，LED2滅，LED1（紅）亮，表明有保障。