可控硅模塊的過電流保護
作者：人氣：2173發(fā)表時間：2014-10-26 8:29:40
可控硅模塊的過電流保護
當變流裝置內(nèi)部元件損壞、控制或觸發(fā)系統(tǒng)發(fā)生故障、可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高、過低或缺相、
負載過載等，均會引起裝置中電力電子器件的電流超過正常工作電流。由于晶閘管的過流能力比一般電氣設備低得多，
因此，必須對晶閘管采取過電流保護措施。
晶閘管裝置中可能采用的幾種過電流保護措施如圖四，分別是：
※交流進線串接漏抗大的整流變壓器（圖四A）：
利用電抗限制短路電流，但此種方法在交流電流較大時存在交流壓降。
※電檢測和過流繼電器（圖四C）
電流檢測是用取樣電流與設定值進行比較，當取樣電流超過設定值時，比較器輸出信號使移相角增大或拉逆變以
減少電流。有時須停機。
※直流快速開關（圖四G）
對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可采用動作時間只有2ms的直流快速開關，它能夠先于快速熔斷器
斷開而保護了晶閘管，但價格昂貴使用不多。
※快速熔斷器（圖四B、D、E）
與普通熔斷器比較，快速熔斷器是專門用來保護電力半導體功率器件過電流的元件，它具有快速熔斷的特性，在
流過6倍額定電流時其熔斷時間小于工頻的一個周期（20ms）。
快速熔斷器可接在交流側（B）、直流側（E）或與晶閘管橋臂串聯(lián)（D），后者直接效果最好。一般說來快速熔
斷器額定電流值（有效值IRD）應小于被保護晶閘管的額定方均根通態(tài)電流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同時要大于流
過晶閘管的實際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。
即： 1.57ITAV≥IRD≥IRMS
當變流裝置內(nèi)部元件損壞、控制或觸發(fā)系統(tǒng)發(fā)生故障、可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高、過低或缺相、
負載過載等，均會引起裝置中電力電子器件的電流超過正常工作電流。由于晶閘管的過流能力比一般電氣設備低得多，
因此，必須對晶閘管采取過電流保護措施。
晶閘管裝置中可能采用的幾種過電流保護措施如圖四，分別是：
※交流進線串接漏抗大的整流變壓器（圖四A）：
利用電抗限制短路電流，但此種方法在交流電流較大時存在交流壓降。
※電檢測和過流繼電器（圖四C）
電流檢測是用取樣電流與設定值進行比較，當取樣電流超過設定值時，比較器輸出信號使移相角增大或拉逆變以
減少電流。有時須停機。
※直流快速開關（圖四G）
對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可采用動作時間只有2ms的直流快速開關，它能夠先于快速熔斷器
斷開而保護了晶閘管，但價格昂貴使用不多。
※快速熔斷器（圖四B、D、E）
與普通熔斷器比較，快速熔斷器是專門用來保護電力半導體功率器件過電流的元件，它具有快速熔斷的特性，在
流過6倍額定電流時其熔斷時間小于工頻的一個周期（20ms）。
快速熔斷器可接在交流側（B）、直流側（E）或與晶閘管橋臂串聯(lián)（D），后者直接效果最好。一般說來快速熔
斷器額定電流值（有效值IRD）應小于被保護晶閘管的額定方均根通態(tài)電流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同時要大于流
過晶閘管的實際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。
即： 1.57ITAV≥IRD≥IRMS
此文關鍵字：可控硅模塊的過電流保護
同類文章排行
- 進口的可控硅、二極管模塊有哪些？
- 可控硅 量大從優(yōu)
- 蘋果ipad與深圳唯冠品牌之爭
- 怎么判斷可控硅的極性？
- 雙向可控硅在交流調(diào)壓電路中的使用
- 智能IGBT在汽車點火系統(tǒng)中的應用
- 星巴克用 胭脂蟲當著色劑引抗議
- 新一代高結溫微觸發(fā)可控硅：讓高溫失控不成問題